夜夜操天天爽,阴茎进入湿润视频免费,国产精品野外激情啪啪啪视频,中文字幕日韩精品国产原创

F3L150R07W2E3_B11三級(jí)相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌

發(fā)布時(shí)間：2024-04-26 09:15:51     瀏覽：651

F3L150R07W2E3_B11三級(jí)相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌

　　F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飛凌公司推出的三級(jí)相位支路IGBT模塊，具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

　　特征描述:

　　1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技術(shù)，提高了阻斷電壓能力，達(dá)到650V;

　　2. 低電感設(shè)計(jì)，有助于減少系統(tǒng)中的電磁干擾;

　　3. 低開(kāi)關(guān)損耗，有助于提高效率和節(jié)能;

　　4. 低 VCEsat，減少了功率損耗;

　　5. 采用低熱阻Al2O3基板，有助于散熱，提高性能穩(wěn)定性;

　　6. 緊湊型設(shè)計(jì)，占用空間小，適合需要高集成度的應(yīng)用;

　　7. PressFIT 壓接技術(shù)，方便安裝維護(hù);

　　8. 集成的安裝夾使安裝更堅(jiān)固，提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　優(yōu)勢(shì):

　　1. 緊湊模塊的概念，適合空間有限的應(yīng)用場(chǎng)合;

　　2. 優(yōu)化客戶(hù)的開(kāi)發(fā)周期，降低成本，有助于客戶(hù)節(jié)約時(shí)間和成本;

　　3. 靈活的配置，可以滿(mǎn)足不同客戶(hù)的需求，提供個(gè)性化的選擇。

onfiguration3-level
Dimensions (width)48 mm
Dimensions (length)56.7 mm
FeaturesPressFIT ; Phase leg
HousingEasyPACK? 2B
IC(nom) / IF(nom)150 A
IC   max150 A
QualificationIndustrial
TechnologyIGBT3 - E3
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)1.45 V
VCES / VRRM650 V
VF (Tvj=25°C typ)1.55 V
Voltage Class   max650 V

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢(shì)分銷(xiāo)Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線(xiàn)，快速交付，歡迎聯(lián)系。

推薦資訊

  • Q-TECH QTCT2303S1T-10MHz微型SMD溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)
    Q-TECH QTCT2303S1T-10MHz微型SMD溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO) 2025-05-13 09:05:46

    Q-TECH公司的QTCT230系列是一款微型表面貼裝TCXO（2.5×3.2mm），工作電壓2.8-3.3V，頻率范圍10-45MHz，采用陶瓷封裝和金鍍接觸墊，具有低相位噪聲（如19.2MHz下10Hz偏移時(shí)-91dBc/Hz）、±2ppm頻率容差和±1ppm/年老化率，適用于GPS、基站、以太網(wǎng)等低功耗應(yīng)用。

  • Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET
    Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET 2025-04-09 09:17:48

    SD11461 是 Solitron Devices 生產(chǎn)的一款高性能 N 通道功率 MOSFET，具有 100V 漏源電壓和 35A 連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻低至 25mΩ，采用 TO-258/TO-254 封裝，支持快速開(kāi)關(guān)（如 15ns 開(kāi)啟延遲）和高功率耗散（147W）。其工作溫度范圍廣（-55°C 至 +150°C），適用于電源管理（如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻應(yīng)用，電氣特性包括 2.0-4.0V 閾值電壓、87nC 柵極電荷，并集成高效源極二極管（1-1.5V 正向電壓）。封裝設(shè)計(jì)兼顧散熱與緊湊性，滿(mǎn)足工業(yè)和惡劣環(huán)境需求。

在線(xiàn)留言

在線(xiàn)留言