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Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊

發(fā)布時間：2024-01-18 09:21:54     瀏覽：804

　　Solitron Devices SD11487是業(yè)界首款用于高可靠性應用的密封碳化硅 (SiC) 功率模塊。

Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊

　　51mm x 30mm x 8mm 外形采用獨特的密封封裝形式，是市場上最小的密封高可靠性、高電壓半橋產(chǎn)品。集成格式可最大限度地提高功率密度，同時最大限度地降低環(huán)路電感。用于功率輸出級的 60 mil 引腳隔離在封裝的一側，以實現(xiàn)簡單的電源總線，而用于控制信號的另一側則隔離了 30 mil 引腳。

　　SD11487為半橋配置，帶有兩個1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個與MOSFET并聯(lián)的續(xù)流1200V SiC肖特基二極管和一個集成NTC溫度傳感器。額定連續(xù)漏極電流為 95A。

　　該SD11487的工作溫度為 -55°C 至 175°C，專為最苛刻的應用而設計，例如井下勘探;空間;和航空電子設備。密封銅封裝與氮化鋁直接鍵合銅基板相結合，可提供出色的導熱性和外殼隔離性。集成的溫度檢測可實現(xiàn)高電平溫度保護。

　　與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開關性能，并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低，因此效率水平高于硅，從而在接通和關斷階段產(chǎn)生更高的開關功率和更少的能量。結合高開關頻率，這意味著更小的磁性元件，大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

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