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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結構，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點，A型外殼最少7個焊點，B型外殼最少15個焊點，且負載壽命穩(wěn)定性出色。其關鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應用領域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

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  BCR198WH6327XTSA1數(shù)字雙極型晶體管Infineon 2024-12-13 08:59:50

  BCR198WH6327XTSA1是Infineon生產(chǎn)的BCR198系列高性能PNP硅數(shù)字晶體管，專為數(shù)字信號處理設計，具備快速開關、低功耗特性，內置偏置電阻，環(huán)保封裝，通過AEC Q101認證，適用于汽車電子、工業(yè)控制、通信設備及消費電子領域。